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集成電路晶圓測試具體實施方式
發(fā)布時間：2019-07-09 18:34:56
下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的具體實施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
參閱圖1，其為實施例提供的晶圓測試方法的流程圖，如圖1所示，采用晶圓測試機對晶圓上的每個芯片進(jìn)行測試，并且具有n個測試項目，n為大于等于1的整數(shù)，其特征在于，所述晶圓的測試方法包括：
S1：對所述芯片進(jìn)行測試項目i的檢測，并判斷所述芯片是否通過測試，1≤i≤n，并且i為整數(shù)；
S2：若所述芯片通過測試，所述晶圓測試機進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，并執(zhí)行步驟L3，若所述芯片未通過測試，結(jié)束測試，所述芯片不合格；
S3：判斷i是否等于n，若i等于n，結(jié)束測試，所述芯片合格，若i不等于n，取i＝i+1，執(zhí)行步驟S1。
本發(fā)明提供的晶圓測試方法通過對所述晶圓測試機進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，避免了因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測試失效的情況，解決了芯片過宰的問題，提升了測試穩(wěn)定性，避免了探針卡對芯片的充放電效應(yīng)，提高了產(chǎn)品良率，并且沒有增加任何成本。
優(yōu)選的，所述晶圓包括多個芯片，所述晶圓測試機對每個所述芯片均進(jìn)行測試，并挑選出不符合控制要求的芯片。所述晶圓的測試方法包括n(n為≥1的整數(shù))個測試項目，所述晶圓上的芯片通過這n個測試項目后，即判定所述芯片合格，當(dāng)所述晶圓上的芯片無法通過某個測試項目時，即判定所述芯片不合格。所述晶圓的測試項目包括DC測試和AC測試，DC測試通常首先進(jìn)行(如連接性測試、開路/短路、漏電流、輸出檢查和功能測試等測試)，以決定是否繼續(xù)后面的AC測試。
優(yōu)選的，每個所述芯片均包括上電復(fù)位電路，每測試完一個測試項目，均可以對所述晶圓進(jìn)行掉電和上電，因為所述芯片包括上電復(fù)位電路，對所述芯片進(jìn)行掉電和上電后，所述芯片復(fù)位，再進(jìn)行測試，避免了上一個測試項目對下一個測試項目的影響，提高了晶圓測試的準(zhǔn)確性。
所述晶圓測試機包括控制單元、判斷單元、比較單元和探針卡，所述控制單元控制所述判斷單元、比較單元和探針卡工作，所述探針卡用于對所述芯片進(jìn)行測試并返回測試結(jié)果，所述判斷單元對所述測試結(jié)果進(jìn)行判斷。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，所述晶圓測試機包括一探針卡，作為晶圓測試機與待測晶圓之間的接口，所述探針卡具有開關(guān)、濾波單元和多個探針，所述開關(guān)控制所述探針卡是否工作，所述探針卡的探針與待測芯片進(jìn)行物理接觸和電學(xué)接觸，以傳遞進(jìn)出芯片的電流，所述濾波單元通常由兩個并聯(lián)的電容構(gòu)成，以濾除所述進(jìn)出芯片的電流的高頻成分和低頻成分，晶圓測試機對所述芯片進(jìn)行上電和下電的過程中，由于探針卡中電容的存在，這一隔離動作會造成探針卡上的電容對芯片的充放電效應(yīng)，并且因為前后測試項時間間隔太短，往往會因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測試失效。所以，本實施例中，晶圓測試機對所述芯片進(jìn)行階梯型緩慢上電和下電，例如，所述芯片的測試電壓為5V，上電時，所述芯片上的電壓從0V-1V-2V-3V-4V-5V逐漸遞增，下電時，所述晶圓上的電壓從5V-4V-3V-2V-1V-0V逐漸遞減，以階梯型上升到最大電壓或下降至0V，以避免探針卡上電容對芯片的充放電效應(yīng)，提高了產(chǎn)品良率，并且沒有增加任何成本。
請繼續(xù)參閱圖1，所述晶圓的測試方法的具體步驟如下，首先探針卡上的探針與所述芯片上的焊點進(jìn)行接觸，所述晶圓測試機的控制單元發(fā)出一測試信號，所述探針卡接收所述控制信號并對測試項目i進(jìn)行測試，完成測試后，將測試結(jié)果反饋給所述判斷單元；所述晶圓測試機的判斷單元獲取這個測試結(jié)果，并根據(jù)所述測試結(jié)果判斷所述芯片是否通過測試，如果所述芯片沒通過測試(測試結(jié)果為“No”)，則所述芯片不合格，結(jié)束測試；如果芯片合格(測試結(jié)果為“Pass”)，則對芯片進(jìn)行下個測試項目的測試。
如果芯片合格，則對芯片進(jìn)行如上所述的臺階掉電和臺階上電，避免相鄰兩個測試項目的互相影響。
優(yōu)選的，所述晶圓測試機還包一比較單元，用于比較所述晶圓測試機對一芯片完成的測試項目數(shù)量與一閾值是否相同。這里的閾值可以設(shè)定為測試項目的個數(shù)n，所述比較單元比較所述測試項目i與所述閾值n的大小，用于所述確定結(jié)束循環(huán)的條件。當(dāng)i等于n時，則所述芯片的所有測試項目均通過了測試，所述芯片合格，當(dāng)i不等于n時，將i+1賦值給i(即當(dāng)i＝1時，i+1＝2)，繼續(xù)循環(huán)，直至i＝n時，結(jié)束循環(huán)，所述芯片合格。
優(yōu)選的，所述晶圓包括嵌入式閃存的晶圓，所述嵌入式閃存的晶圓包括若干個嵌入式閃存的芯片，所述晶圓測試機的探針卡上的探針的數(shù)量與每個所述嵌入式閃存的芯片需要的數(shù)量匹配。優(yōu)選的，所述晶圓測試機可以同時測試所述晶圓上的所有芯片，以節(jié)約所述晶圓的測試時間，提高效率。
綜上，在本發(fā)明實施例提供的晶圓的測試方法中，具有如下的優(yōu)點：所述晶圓的測試方法包括L1：對所述芯片進(jìn)行測試項目i(1≤i≤n)的檢測，并判斷所述芯片是否通過測試；L2：若所述芯片通過測試，所述晶圓測試機進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，并執(zhí)行步驟L3，若所述芯片未通過測試，結(jié)束測試，所述晶圓不合格；L3：判斷i是否等于n，若i等于n，結(jié)束測試，所述晶圓合格，若i不等于n，取i＝i+1，執(zhí)行步驟L1。所述晶圓測試機進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，避免了因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測試失效的情況，解決了芯片過宰的問題，提升了測試穩(wěn)定性，避免了探針卡上電容對芯片的充放電效應(yīng)，提高了產(chǎn)品良率，并且沒有增加任何成本。
上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
