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集成電路晶圓測試執(zhí)行步驟
發(fā)布時(shí)間：2019-07-02 18:33:52
可選的，所述晶圓包括多個芯片，每個所述芯片均包括上電復(fù)位電路；
可選的，所述測試項(xiàng)目包括DC測試和AC測試；
可選的，所述晶圓測試機(jī)包括控制單元、判斷單元和探針卡，其中，所述控制單元控制所述探針卡和所述判斷單元進(jìn)行工作，所述探針卡用于對所述芯片進(jìn)行測試并返回測試結(jié)果，所述判斷單元對所述測試結(jié)果進(jìn)行判斷；
可選的，所述晶圓測試機(jī)還包一比較單元，用于比較所述晶圓測試機(jī)對一芯片完成的測試項(xiàng)目數(shù)量與一閾值是否相同；
可選的，所述控制單元發(fā)出測試信號，所述探針卡接收所述測試信號并對所述芯片進(jìn)行測試，測試后將測試結(jié)果反饋給所述判斷單元；
可選的，所述判斷單元獲取所述探針卡反饋的測試結(jié)果，并根據(jù)所述測試結(jié)果判斷所述芯片是否通過測試；
可選的，所述探針卡包括開關(guān)、濾波單元和多個探針，所述開關(guān)用于控制所述探針卡是否進(jìn)行工作，所述濾波單元用于濾除進(jìn)出芯片的電流的高頻成分和低頻成分，多個所述探針與芯片進(jìn)行接觸以進(jìn)行測試；
可選的，所述芯片上設(shè)置有測試焊點(diǎn)，所述探針與所述測試焊點(diǎn)接觸以進(jìn)行測試；
可選的，所述晶圓包括嵌入式閃存的晶圓。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是利用晶圓測試機(jī)的具有若干探針的探針卡，將探針卡的探針與晶圓上的芯片電接觸以進(jìn)行測試。但是，為了使測試項(xiàng)目之間互不影響，會對晶圓測試機(jī)進(jìn)行上電和下電，這一隔離動作會造成探針卡上的電容對芯片的充放電效應(yīng)，并且因?yàn)榍昂鬁y試項(xiàng)時(shí)間間隔太短，往往會因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測試失效。
發(fā)明人考慮到，如果能給測試機(jī)一個緩慢的上電和下電過程，會消除探針卡上電容充放電對芯片的影響，進(jìn)而提高晶圓測試結(jié)果的真實(shí)率和準(zhǔn)確率。
在本發(fā)明提供的晶圓的測試方法中，包括L1：對所述芯片進(jìn)行測試項(xiàng)目i(1≤i≤n)的檢測，并判斷所述芯片是否通過測試；L2：若所述芯片通過測試，所述晶圓測試機(jī)進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，并執(zhí)行步驟L3，若所述芯片未通過測試，結(jié)束測試，所述晶圓不合格；L3：判斷i是否等于n，若i等于n，結(jié)束測試，所述晶圓合格，若i不等于n，取i＝i+1，執(zhí)行步驟L1。所述晶圓測試機(jī)進(jìn)行臺階掉電和臺階上電，避免了因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測試失效的情況，解決了芯片過宰的問題，提升了測試穩(wěn)定性，避免了探針卡對芯片的充放電效應(yīng)，提高了產(chǎn)品良率，并且沒有增加任何成本。
