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晶圓全切貼膜在半導(dǎo)體制作中到什么保護(hù)作用？
發(fā)布時(shí)間：2018-05-12 10:33:22
圓晶是制作硅半導(dǎo)體所用的硅片，形狀似圓形，故稱晶圓。將硅單晶棒制備成硅晶圓片的工藝即為晶圓成型。晶圓切割保護(hù)膜就是在半導(dǎo)體制作過程中起到保護(hù)作用。
晶圓切割貼膜SOI技術(shù)是降低晶體管漏電流的有效措施，而應(yīng)變硅技術(shù)是提高晶體管速度的有效途徑.目前制造SOI晶圓的方法主要有兩種:一是注氧隔離法，另一種是智能剝離法，注氧隔離法是采用大束流專用氧離子注人機(jī)把氧離子注人到硅晶圓中，然后在惰性氣體中進(jìn)行不小于1300℃高溫退火，從而在硅晶圓頂部形成厚度均勻的極薄表面硅層和Sio2埋層。其優(yōu)點(diǎn)是硅薄層和Sio2埋層的厚度可精確控制，缺點(diǎn)在于由于氧注人會(huì)引起對(duì)硅晶格的破壞，導(dǎo)致硅薄層缺陷密度增高。晶圓切割保護(hù)膜就是在這兩種方法進(jìn)行當(dāng)中保護(hù)物品，
晶圓切割貼膜智能剝離法是利用中等劑量氫離子注人，在一個(gè)硅晶圓中形成氣流層，于低溫情況下和另一個(gè)硅晶圓鍵合，然后進(jìn)行熱處理使注氫的硅晶圓片從氣流層剝離出來，址后對(duì)硅表面層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，使其表面光滑。采用晶圓切割保護(hù)膜進(jìn)行保護(hù)其優(yōu)點(diǎn)是硅薄層缺陷密度低，硅薄層和Sio2埋層厚度。
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