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晶圓減薄技術(shù)背景介紹
發(fā)布時(shí)間：2019-07-18 16:17:07
晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對(duì)應(yīng)的就是硅晶圓。在制備存儲(chǔ)器時(shí)需要在晶圓表面制備存儲(chǔ)區(qū)和邊緣區(qū)，在存儲(chǔ)區(qū)中形成多個(gè)相互隔離的存儲(chǔ)單元，在邊緣區(qū)中制備形成相應(yīng)的控制結(jié)構(gòu)。
在存儲(chǔ)器生產(chǎn)的過(guò)程中，往往需要對(duì)晶圓表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，然而，現(xiàn)有的研磨技術(shù)下，隨著存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)陣列的特征尺寸的不斷減小，使得研磨效果在存儲(chǔ)區(qū)和邊緣區(qū)的差異變大，晶圓表面平整度變差，嚴(yán)重時(shí)可能導(dǎo)致后續(xù)的刻蝕工藝在晶圓表面造成損傷。
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