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晶圓減薄是什么操作流程
發(fā)布時(shí)間：2019-07-12 10:46:49
晶圓減薄，是在制作集成電路中的晶圓體減小尺寸，為了制作更復(fù)雜的集成電路。
集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步首先來(lái)源于市場(chǎng)需求的要求，其次是競(jìng)爭(zhēng)的要求。在集成電路制造中，
半導(dǎo)體硅材料由于其資源豐富，制造成本低，工藝性好，是集成電路重要的基體材料。
從集成電路斷面結(jié)構(gòu)來(lái)看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的
要求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工
藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過(guò)程中傳遞、流片。通常在集成電
路封裝前，需要對(duì)晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過(guò)程稱之為晶片背面減薄工
藝，對(duì)應(yīng)裝備就是晶片減薄機(jī)。
作用：
1.通過(guò)減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果。
2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。
常規(guī)工藝:
減薄/拋光到80-100um
粗糙度: 5-20nm
平整度: ±3um
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