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新型晶圓減薄背面金屬化工藝的制作方法
發(fā)布時(shí)間：2019-07-29 14:45:20
集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步來源于市場以及競爭的要求。在集成電路制造中，半導(dǎo)體硅材料由于其資源豐富，制造成本低，工藝性好，是集成電路重要的基體材料。從集成電路斷面結(jié)構(gòu)來看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的要求，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。通常在集成電路封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過程稱之為晶片背面減薄工藝。通過減薄的方式對晶片襯底進(jìn)行減薄，不僅改善芯片散熱效果，而且減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。
現(xiàn)有技術(shù)中，將晶圓分離成單個(gè)芯片通常在晶圓減薄工藝完成之后，通過劃片機(jī)在晶圓上劃片形成劃片道，由于劃片道寬度比較寬，特別是對于本身管芯尺寸較小的產(chǎn)品，劃片道占據(jù)的晶圓面積太大，從而減小晶圓的使用面積；利用光刻結(jié)合刻蝕的方法可以解決劃片道過寬的問題，但是這種工藝形成的晶圓表面不能進(jìn)行背面金屬化處理；此外如果管芯本身不是方形的，比如是六邊形或者圓形，用傳統(tǒng)的砂輪劃片方式并不適用。
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